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为什么一种“适用于半导体晶片的双封闭环结构”发明专利3次审查被驳回?

 

 
为什么一种“适用于半导体晶片的双封闭环结构”发明专利3次审查被驳回?
 
 
本案是由专利审查员和专利代理人审查的第8479号案件,在理解反驳所涉及的法律条款方面存在偏见。本案的目的是指出,解雇的理由必须与拒绝的事实相一致。本发明专利申请“适用于半导体晶片的双封闭环结构”,其请求权中有一项主要权利项目和九项从属权利项目。前两项意见是针对索赔缺乏创造性而提出的。经过两次意见陈述后,考官批准了他的创造性答复,但发出了第三次审查意见的通知。第三次审查的结论是,“在案件的主权项目中使用功能特征资格发明导致索赔I不明确”。针对第三次复审,专利代理人建议申请人在规格中添加一些结构特征,以便索赔一,申请人还同意按照专利代理人的建议修改申请文件(见关于修改第三次审查意见的索赔)。

 为什么一种“适用于半导体晶片的双封闭环结构”发明专利3次审查被驳回?
在第三次审查意见答辩后该申请被驳回,驳回理由与第三次审查意见基本相同。
 
 
提出复审请求时,复审请求人再次对权利要求书进行了修改,将从属权利要求3、5、7、9中进一步限定双封闭护环的结构特征内容全部补入权利要求
 
I,该修改在复审前置审查中被通过,专利复审委员会根据前置审查部门意见撤销了原驳回决定,发回原审查部门继续进行审查(请参见复审请求时提交的权利要求书修改样页)。
 
(!)第三次审查意见通知书正文(摘录)。
 
审查员在对本案继续审查中,再次提出如下审查意见:
 
I-权利要求I请求保护一种双封闭护环结构,其技术特征“可防止水气、氧气侵入的内侧封闭护环”、“于晶片切割时阻挡外部应力以避免内部晶片结构被破坏的外侧封闭护环”,均使用了功能特征来限定发明,但是该权利要求请求保护的产品能够使用结构特征清楚地限定,此时使用功能特征限定是不清楚的、并且扩大了保护范围。因此,该权利要求不符合《专利法实施细则》第20条第丨款的规定。
 
2.权利要求2中出现“低介电常数”,而“低”在此处的含义不能准确确定,导致该权利要求的保护范围不清楚,不符合《专利法实施细则》第20条第1款的规定。
 
3权利要求4、6、8、10中均出现了“等”,使上述权利要求的保护范围不能准确确定,不符合《专利法实施细则》第20条第I款的规定。
(2)针对第三次审查意见所提交的权利要求书修改样页-(摘录)。
 
1.一种应用子半导体晶片的双封闭护环结构,其特征包含:
 
半导体晶片,其内部包含元件及内部电路;
 
复数层介电层,位于上述半导体晶片之上;
 
护层结构,位于复数层介电层之上;
 
在该半导体晶片的外缘区域设置有,从半导体晶片上表面延伸至护层结构上表面的防止水气、氧气侵入的内侧封闭护环和阻挡外部应力的外侧封闭护环,其中,所述外侧封闭护环位于该内侧封闭护环的外侧。
2.如权利要求I所述的应用于半导体晶片的双封闭护环结构,其特征是:上述的复数层介电层包含低介电常数小于4.2的介电材质材料。
3.如权利要求I所述的应用于半导体晶片的双封闭护环结构,其特征是:上述的外侧封闭护环包含水平延伸导电层。
5.如权利要求I所述的应用于半导体晶片的双封闭护坏结构,其特征是:上述的外侧封闭护环包含垂直配置的导电层。
I.如权利要求I所述的应用于半导体晶片的双封闭护环结构,其特征是:上述的内侧封闭护环包含水平延伸导电层。
9.如权利要求丨所述的应用于半导体晶片的双封闭护环结构,其特征是:上述的内侧封闭护环包含垂直配置的导电层。
 
(3)复审请求时提交的权利要求书修改样页(摘录)。
i.本发明涉及一种应用于半导体晶片的双闭合环结构,其特征在于半导体晶片至少包括:半导体芯片,内部包括元件和内部电路;在半导体晶片的外边缘区域设置位于多层介质层上方的保护层结构,以防止水分从半导体晶片的表面延伸到保护层结构的表面。氧气侵入密封圈和防止外应力的外密封圈,其中,外密封圈位于内封闭保护环的外侧,外封闭圈包括水平延伸的导电层和垂直布置的导电层。内封闭环包括水平延伸导电层和垂直排列的导电层。2。如权利要求I所述,应用于半导体晶片的双闭合环结构的特征在于复合层介电层包括介电常数小于4.2的介电材料。3-如权利要求I所述,应用于半导体晶片的双闭合环结构的特征在于外封闭环包含水平延伸导电层。